前言：

根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，全球功率器件總市場(chǎng)約為463億美元，其中分立MOSFET占比約為18%，市場(chǎng)空間約為83.34億美元，MOSFET模組約占1%。

功率MOSFET器件工作速度快，損耗小，擴(kuò)展性好。適合低壓、大電流的環(huán)境，要求的工作頻率高于其他功率器件。應(yīng)用范圍覆蓋電源、發(fā)頻器、CPU及顯卡、通訊、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。

MOSFET的差異化主要來(lái)源于三個(gè)方面，一是基于系統(tǒng)know-how理解的設(shè)計(jì)能力。

二是前段制程的差異，即晶圓制造環(huán)節(jié)的工藝水平差異。三是后段制程的差異，即芯片封裝工藝水平的差異。

數(shù)字邏輯芯片產(chǎn)品的價(jià)值鏈構(gòu)成更長(zhǎng)，設(shè)計(jì)軟件、IP、EDA、know-how、前段晶圓制造能力、前段封裝能力共同創(chuàng)造了芯片的附加值。由于價(jià)值鏈較長(zhǎng)，邏輯芯片產(chǎn)業(yè)鏈出現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)分工，F(xiàn)abless+Foundry模式漸漸替代傳統(tǒng)的IDM模式。

但是在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，價(jià)值鏈較短，前段晶圓制造能力和后端封裝能力是構(gòu)成產(chǎn)品附加值的核心，國(guó)際一線企業(yè)大多數(shù)采用IDM模式。

MOS升級(jí)之路：制程縮小+技術(shù)變化+工藝進(jìn)步+第三代半導(dǎo)體

制程縮小：MOSFET的生產(chǎn)工藝在1976-2000年左右跟隨摩爾定律不斷縮小制程線寬。生產(chǎn)工藝制程從早期的10微米制程迭代至0.15-0.35微米制程。技術(shù)變化：MOSFET經(jīng)歷了3次器件結(jié)構(gòu)上的技術(shù)革新：溝槽型、超級(jí)結(jié)、Insulated Field Plates。每一次器件結(jié)構(gòu)的發(fā)化，在某些卑項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上產(chǎn)品性能得到飛躍，大幅拓寬產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域。

工藝進(jìn)步：在同一個(gè)器件結(jié)構(gòu)下，通過(guò)對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行調(diào)整，產(chǎn)品FOM性能變得小幅改善。

材料迭代：SiC、GaN半導(dǎo)體功率器件。

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作者 | 方文