5nm剛實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),3nm還未投產(chǎn),2nm的角逐卻已經(jīng)進(jìn)入白熱化階段,各方面都在積極籌備當(dāng)中,圍繞著晶圓廠臺積電,各大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商、材料工藝服務(wù)商、EDA工具廠商,以及主要客戶,都開始將越來越多的精力向2nm轉(zhuǎn)移。
晶圓廠:臺積電領(lǐng)先,歐洲發(fā)力
目前來看,在3nm和2nm制程方面,臺積電相對于三星的領(lǐng)先優(yōu)勢很明顯。
2019年,臺積電率先開始了2nm制程技術(shù)的研發(fā)工作。相應(yīng)的技術(shù)開發(fā)的中心和芯片生產(chǎn)工廠主要設(shè)在中國臺灣地區(qū)的新竹,同時(shí)還規(guī)劃了4個(gè)超大型晶圓廠,主要用于2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)和生產(chǎn)。
按照規(guī)劃,臺積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝試生產(chǎn)階段,并于一年后開始批量生產(chǎn)。
2020年9月,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發(fā)進(jìn)度超前,業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。
3月9日,歐盟委員會提出數(shù)字化轉(zhuǎn)型最新目標(biāo):到2030年,歐洲先進(jìn)和可持續(xù)半導(dǎo)體的生產(chǎn)總值至少占全球生產(chǎn)總值的20%,生產(chǎn)能力沖刺2nm,能效達(dá)到今天的10倍。
經(jīng)過中美科技戰(zhàn),歐洲更加意識到科技獨(dú)立自主的重要性,決心搞自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟,建立自己的2nm晶圓廠。
但是從歐洲視角來看,臺積電屬于中國,受美國管制,卻跟自己沒多大關(guān)系。最該擔(dān)心的其實(shí)應(yīng)該是歐盟。所以,歐洲下定決心,必須建立自己的先進(jìn)的2nm晶圓廠。
今年2月,歐洲議會批復(fù)了《復(fù)蘇和恢復(fù)基金》(RRF),該基金將提供6725億歐元(5.2萬億人民幣)的贈款和貸款,持續(xù)三年,面向歐盟各國政府提供最高13%的預(yù)融資。
簽署聯(lián)合聲明的成員國達(dá)成的協(xié)議是,撥出至少20%的RRF資金支持?jǐn)?shù)字化轉(zhuǎn)型,未來2到3年,這筆資金將達(dá)到1450億歐元(折合約1.1萬億人民幣)。
設(shè)備:光刻機(jī)也必須與制程賽跑
對于2nm和更先進(jìn)制程工藝來說,EUV光刻機(jī)的重要性越來越高,但是EUV設(shè)備的產(chǎn)量依然是一大難題,而且其能耗也很高。
到2022年,當(dāng)3nm大規(guī)模生產(chǎn)、2nm準(zhǔn)備試產(chǎn),需要的新EUV光刻機(jī)數(shù)量預(yù)計(jì)為57臺。
2023年,當(dāng)3nm生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大、2nm開始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)時(shí),所需新EUV光刻機(jī)數(shù)達(dá)到58臺。
到2024年,啟動2nm的大規(guī)模生產(chǎn),2025年生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大,到時(shí)所需新EUV光刻機(jī)數(shù)預(yù)計(jì)為62臺。
前不久,中國中科院的研究人員宣布,已經(jīng)突破了設(shè)計(jì)2nm芯片的瓶頸,成功地掌握了設(shè)計(jì)2nm芯片的技術(shù)。
然而我國尚不具備5nm芯片的光刻機(jī),更不用說2nm的光刻機(jī)了,即使我國中科技具備了2納米芯片的研發(fā)技術(shù),依舊無法在實(shí)踐中大量推廣?! ?/p>
去年的芯片禁令讓很多人意識到高端芯片的生產(chǎn)離不開尖端EUV光刻機(jī),但在全世界范圍內(nèi),這一關(guān)鍵設(shè)備確僅有ASML一家公司可以生產(chǎn),處于絕對壟斷地位。
但是,按照目前的發(fā)展趨勢,5nm制程工藝似乎已經(jīng)不滿足后續(xù)市場的需求,眾多晶圓代工廠已經(jīng)開始布局更高制程工藝的研究。
為此,ASML不得不調(diào)整策略,開始研發(fā)全新的下一代EUV光刻技術(shù)。
材料和工藝:互連技術(shù)將升級
著先進(jìn)工藝一步步向高端邁進(jìn),芯片制造商持續(xù)在最新工藝節(jié)點(diǎn)的晶體管制造技術(shù)上取得進(jìn)步,但互連技術(shù)似乎跟不上先進(jìn)工藝的步伐。
隨著晶體管尺寸的縮小,連接它們的金屬線也必須在多層互連堆積的整體層高結(jié)構(gòu)中進(jìn)行。
傳統(tǒng)上一般采用銅互連,但是發(fā)展到2nm,相應(yīng)的電阻電容(RC)延遲問題非常突出。
目前,面向2nm及更先進(jìn)制程的新型互連技術(shù)主要包括:
混合金屬化或預(yù)填充,將不同的金屬嵌套工藝與新材料相結(jié)合,以實(shí)現(xiàn)更小的互連和更少的延遲;
半金屬嵌套,使用減法蝕刻,實(shí)現(xiàn)微小的互連;
超級通孔、石墨烯互連和其他技術(shù)。
混合金屬化在互連中使用兩種不同的金屬。對于2nm來說,這很有意義,與雙金屬嵌套相比,通孔電阻更低,可靠性會提高;同時(shí)可以保持互連中銅的低電阻率。
臺積電和中國臺灣地區(qū)交大聯(lián)手,開發(fā)出全球最薄、厚度只有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體,可望借此進(jìn)一步開發(fā)出2nm,甚至是1nm的電晶體通道。
在先進(jìn)工藝上,目前臺積電、三星及英特爾等幾家實(shí)力強(qiáng)大,日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢,但日本也沒有放棄先進(jìn)工藝上的努力。
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與中國臺灣半導(dǎo)體研究中心( TSRI )等展開合作,開發(fā)了用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)。
與此前的晶體管相比, CFET結(jié)構(gòu)的晶體管性能高、面積小, 有助于制造 2nm 以下線寬的新一代半導(dǎo)體。
三星計(jì)劃在3nm的時(shí)候生產(chǎn)下一代晶體管,稱為環(huán)柵場效應(yīng)晶體管。臺積電計(jì)劃將FinFETs擴(kuò)展到3nm,但將在2nm左右遷移到環(huán)柵。
當(dāng)鰭(fin)寬度達(dá)到5nm(相當(dāng)于3nm節(jié)點(diǎn))時(shí),F(xiàn)inFETs接近其實(shí)際極限。環(huán)柵晶體管比FinFETs具有更好的性能、更低的功耗和更低的漏電,但它們的制造難度更大,成本也更高。
其他新的和更有前途的互連解決方案即將出現(xiàn),但它們可能要到2023年的2nm到來時(shí)才會出現(xiàn)。
EDA工具:高精尖技術(shù)集中在少數(shù)人手中
EDA作為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的命脈,自始至終連接和貫穿著芯片制造和科技應(yīng)用的發(fā)展;芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試,直至電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì),每個(gè)環(huán)節(jié)都離不開EDA工具。
中美貿(mào)易戰(zhàn)拉開大幕,EDA禁運(yùn)首當(dāng)其沖,成為卡脖子工程。EDA的的戰(zhàn)略性,重要性被推到空前高度。
面對2nm高精尖的制程工藝,Cadence和Synopsys創(chuàng)建了全新的EDA工具堆棧,并開發(fā)全新的IP庫。
2nm制程要求芯片開發(fā)人員必須采用全新的設(shè)計(jì)規(guī)則和流程,并重新制作他們以前可能使用過的所有內(nèi)容。
目前國內(nèi)的EDA工具很分散,提供不了全套的工具鏈,而國際EDA公司提供給芯片企業(yè)的一般都是全套工具。
國內(nèi)EDA產(chǎn)業(yè)面臨的最大問題就是國內(nèi)沒有形成一個(gè)完整的、互相促進(jìn)的產(chǎn)業(yè)鏈,抱團(tuán)一直是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最重要方向。
國內(nèi)EDA工具廠商鮮少參與晶圓廠和設(shè)計(jì)公司的合作研發(fā),有EDA產(chǎn)品生產(chǎn)出來,也得不到使用和反饋,進(jìn)而難以進(jìn)步。
中國EDA已迎來最好的時(shí)代,華大九天、國微集團(tuán)、芯華章、廣立微、概倫電子、芯和半導(dǎo)體等多家國產(chǎn)EDA公司已整裝待發(fā),期待能以厚積薄發(fā)的技術(shù)實(shí)力快速完善中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈,支持5G、人工智能、云計(jì)算等多項(xiàng)未來科技的發(fā)展。
未來本土EDA的發(fā)展之路,還得靠腳踏實(shí)地、一步一個(gè)腳印地走出來,最終實(shí)現(xiàn)真正的本土化。
結(jié)尾
2nm先進(jìn)制程的每個(gè)環(huán)節(jié)和細(xì)分領(lǐng)域均環(huán)環(huán)相扣,只有通過產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動,才能獲得成功。而蘋果最有可能成為最先嘗鮮2nm芯片的廠商,此外在2024年之后,高通、英偉達(dá)、AMD等都會成為其2nm技術(shù)的廠商。