貌似在學(xué)校的課本上并沒有接觸過電容的去耦半徑概念。我們都知道小電容濾除高頻，大電容濾低頻，為了達到更好的濾波效果，一般輸入電源或者輸出電源都是采用一個大容值電容加一個小容值電容的方式，比如 1uF+0.1uF。

我們先來了解一下去耦和旁路的區(qū)別。旁路電容，叫 bypass，是把輸入信號中的高頻成分作為濾除對象。

去耦電容，叫 decoupling，也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。可以看到，旁路電容和去耦電容的作用都是濾波，只是在電路上的位置不同而已。

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旁路電容和去耦電容區(qū)別

旁路一般位于信號輸入端，去耦一般位于信號輸出端。旁路電容濾除的是前級電源的干擾，一般是高頻噪聲，在輸入電源管腳上加小容值電容，比如常見的 0.1uF。

去耦電容是濾除的是輸出級的干擾，因為輸出級是作為了下一級的輸入。去耦電容的第一個作用和旁路是一樣的，高頻濾波。第二是充當儲能電容，在負載所需電流突然增大時提供電能，滿足驅(qū)動電路的電流變化，電容越大，儲能越多，在一定范圍內(nèi)，滿足負載電流變化更有效。說完了去耦和旁路，來到正題，電容的去耦半徑。先記一下理論：小容值電容去耦路徑短，超過去耦路徑，就失去了去耦效果，所以一般靠近 IC 擺放。大容值電容去耦路徑長，擺放位置相對寬松一些。所以電源，一般是先經(jīng)過大電容，再經(jīng)過小電容，再進入到 IC 芯片。

我畫了一個簡圖，來幫助理解大小電容的擺放位置，你會發(fā)現(xiàn)，A 和 C 處的兩個電容都是小電容靠近 IC，但是 B 處是大電容靠近 IC，這是為什么呢？

電容擺放示意圖首先，A 和 C 處兩個電容都是旁路電容，B 處的兩個電容是去耦電容（濾波加儲能作用）。其次，芯片 A 是電源芯片，它的輸出相對于 B 處的 1uF 電容來說，就是輸入，所以先經(jīng)過 1uF，再經(jīng)過 0.1uF，也是沒有問題的。

最后，B 處兩個電容也作為儲能電容，回路往往伴隨較大的紋波電流，且會在電容的 ESR 上產(chǎn)生大量的熱，同時形成紋波電壓。所以靠近電源芯片的電容會流過更大的紋波電流，如果把小電容靠近電源芯片輸出，容易出問題。所以對電源芯片總結(jié)就是：輸入電源先大后小（小的靠近電源 IC），輸出電源也是先大后小（大的靠近電源 IC）。