上次Semicon China結(jié)束后我立即發(fā)布一個關于新凱來的量檢測設備和刻蝕設備的簡介和行業(yè)數(shù)據(jù)統(tǒng)計。文章發(fā)布以后閱讀量和讀者反饋效果都非常不錯但刻蝕設備的分類上有些技術性錯誤，很容易給讀者產(chǎn)生誤導。所以我今天再修改一下產(chǎn)品分類，同時也增加幾家最新收集到的供應商信息，發(fā)布一個新版本

這次新凱來一共發(fā)布了三款干法刻蝕設備：

其中武夷山1號是CCP（電容耦合等離子體，Capacitively Coupled Plasma）刻蝕設備，適用于介質(zhì)層的刻蝕。在這塊領域國內(nèi)的龍頭是中微半導體

武夷山3號是ICP（電感耦合等離子體，Inductively Coupled Plasma）刻蝕設備，適用于硅和硅鍺等材料的刻蝕。在這塊領域國內(nèi)華創(chuàng)和中微半導體等公司都有布局

武夷山5號是高選擇比刻蝕設備。他是一種通過優(yōu)化化學反應選擇性，顯著增強目標材料與掩膜或下層材料刻蝕速率差異的技術。其核心原理是通過高活性自由基與材料之間的選擇性反應實現(xiàn)刻蝕，同時最大程度抑制離子轟擊帶來的物理損傷。通常有兩種類型：CDE (化學干法刻蝕，Chemical Dry Etching)和RDE?(自由基干法刻蝕，Radical Dry Etching)

這個領域全球被TEL、AMAT、LAM所壟斷，國內(nèi)屹唐應該是營收領先

新凱來沒有公開說明他們家設備是哪類，我暫且估計為第二種RDE

接下來我還是按照規(guī)矩整理一下以上三類干法刻蝕設備的全球供應商數(shù)據(jù)供大家注）本表格中詳細數(shù)據(jù)的原始文檔，我放到了知識星球的云盤上供會員使用。如果您對此類數(shù)據(jù)有興趣，歡迎掃碼加入我的知識星球后獲?。ㄎ恼伦詈笥兄R星球數(shù)據(jù)內(nèi)容的簡單介紹）?

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