SK海力士預(yù)測(cè)，2025年其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）銷(xiāo)量將較去年增長(zhǎng)100%以上。

SK海力士CFO兼執(zhí)行副總裁金宇鉉1月23日在“2024年第四季度收益發(fā)布電話(huà)會(huì)議”上表示，“今年HBM銷(xiāo)售額將同比增長(zhǎng)100%以上”，并補(bǔ)充道，“客戶(hù)對(duì)定制半導(dǎo)體（ASIC）的需求也很大。隨著用戶(hù)數(shù)量的增加，客戶(hù)群預(yù)計(jì)也將擴(kuò)大?！?/p>

金宇鉉表示：“HBM3E 12層將占今年上半年HBM總出貨量的一半以上。我們還將在今年完成HBM4的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)，確保能夠供應(yīng)給并在客戶(hù)需要的時(shí)候及時(shí)提供?！?/p>

HBM4 16 層預(yù)計(jì)將于 2026 年下半年上市。

SK海力士表示：“我們預(yù)計(jì)HBM4 16 層供貨將于明年下半年開(kāi)始”，并補(bǔ)充道：“基于16層的封裝技術(shù)，未來(lái)可應(yīng)用于HBM4 16層。”將現(xiàn)有的先進(jìn)MR-MUF方法應(yīng)用于HBM3E的經(jīng)驗(yàn)。我期待這一點(diǎn)”。

該公司表示，去年 HBM 的銷(xiāo)售額與 2023 年相比增長(zhǎng)了 4.5 倍。

金宇鉉表示：“由于HBM3E 8層和12層的及時(shí)供應(yīng)和銷(xiāo)售擴(kuò)大，2024年的HBM銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)了4.5倍以上”，并補(bǔ)充道：“HBM3E 12層去年第四季度在行業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)供貨?！?/p>

預(yù)計(jì)今年第一季度DRAM和NAND閃存出貨量將會(huì)下降。

他表示，“第一季度 DRAM 出貨量將較上一季度下降 10% 左右，NAND 出貨量將下降 10% 左右?！?/p>

預(yù)計(jì)今年整體 DRAM 需求將增長(zhǎng) 10% ，NAND 需求預(yù)計(jì)將增長(zhǎng) 10%。

預(yù)計(jì)商品DRAM價(jià)格暫時(shí)仍將維持疲軟。

SK海力士表示，“受中國(guó)DRAM供應(yīng)影響，DDR4價(jià)格正在下跌”，并預(yù)測(cè)“今年通用DRAM價(jià)格也將維持低迷”。

他補(bǔ)充道，“不過(guò)，從今年下半年開(kāi)始，對(duì)配備高規(guī)格、大容量?jī)?nèi)存的人工智能PC和智能手機(jī)的需求將會(huì)增加，因此不太可能造成嚴(yán)重的供需失衡。”

DDR4和LPDDR4等舊工藝DRAM的比例預(yù)計(jì)會(huì)下降。

SK海力士預(yù)測(cè)“今年DDR4和LPDDR4的銷(xiāo)售占比將從去年的20%左右大幅下降至個(gè)位數(shù)”。

今年的資本支出（CAPEX）預(yù)計(jì)較去年略有增加。

SK海力士將于今年第四季度開(kāi)始運(yùn)營(yíng)M15X，龍仁Cluster1工廠也將于今年開(kāi)工建設(shè)，目標(biāo)于2027年第二季度投入運(yùn)營(yíng)。

SK海力士解釋道，“今年的投資額將比去年略有增加，因?yàn)橐ㄔO(shè)M15X和龍仁工廠，用于HBM投資，并確保未來(lái)增長(zhǎng)的基礎(chǔ)設(shè)施，總投資的大部分將集中在HBM上和基礎(chǔ)設(shè)施投資。”