存儲(chǔ)器模組廠從2023年第三季后開(kāi)始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫(kù)存，到2024年第二季庫(kù)存水位已上升至11-17周。然而，消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情況，筆電市場(chǎng)也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi)，市場(chǎng)繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始走弱，第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至八月份仍與合約價(jià)脫鉤，但也暗示合約價(jià)的潛在趨勢(shì)。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第二季模組廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash（閃存）零售渠道的出貨量已大幅年減40%，反映出全球消費(fèi)性存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但今年上半年的出貨下滑明顯超出市場(chǎng)預(yù)期，這預(yù)示著下半年的需求不會(huì)大幅回溫。

通貨膨脹和利率攀升等因素沖擊消費(fèi)者支出意愿，間接導(dǎo)致消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)器模組的出貨量下降。此外，NAND Flash wafer（晶圓）價(jià)格持續(xù)上漲，使得模組廠的營(yíng)運(yùn)成本大幅增加。然而，由于終端產(chǎn)品價(jià)格必須保持吸引力以刺激消費(fèi)需求，模組廠無(wú)法反映增加的成本，利潤(rùn)空間進(jìn)一步被壓縮。

TrendForce集邦咨詢(xún)指出，目前還未明確觀察到AI手機(jī)或AI PC在接下來(lái)幾季能有合理的應(yīng)用出現(xiàn)，即使?jié)B透率因平臺(tái)商推廣而有所提高，也難以帶起全面換機(jī)潮，因此無(wú)法帶動(dòng)DRAM價(jià)格。

從2025年的情況來(lái)看，雖然預(yù)期DRAM價(jià)格會(huì)逐季上揚(yáng)，但原因是HBM3e（第五代高帶寬內(nèi)存）滲透率持續(xù)提升拉高均價(jià)，以及供給端缺乏新產(chǎn)能而有所限制。如果消費(fèi)性需求持續(xù)疲軟，DRAM價(jià)格上漲的幅度將低于預(yù)期。