近日，江蘇南京江寧開發(fā)區(qū)總投資10億元的國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項目正在進行地下室主體結構施工，預計明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。

據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房及附屬設施，新增設備五百余臺套。項目分兩期建設，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬平方米；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬平方米。

上述一期項目投資額20億元，中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設施已于2023年竣工投產(chǎn)；二期項目將重點補充射頻集成電路封測制造能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)模化設計、制造能力，打造成為寬禁帶半導體器件及模塊供應商、5G通信技術國內(nèi)發(fā)展先行者。據(jù)中國電子科技集團公司第五十五研究所發(fā)布的信息顯示，國博電子是其下屬控股公司，專業(yè)從事集成電路、射頻微波模塊及子系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，具有30多年射頻微波集成電路、模塊產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。

公司產(chǎn)品性能達到國際先進水平，廣泛應用于移動通信、微波毫米波通信、衛(wèi)星通信等系統(tǒng)，打破了國外的技術壟斷。

2018年，國博電子在南京江寧開發(fā)區(qū)啟動了上述“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化”建設項目，建成后，將形成年產(chǎn)化合物半導體原片6萬片、射頻基礎電路5億只、射頻模塊1000萬只的設計制造能力，滿足5G及未來移動通信基站和終端市場需求。

此前有媒體報道稱，上述“年產(chǎn)化合物半導體原片6萬片”，為“6英寸工藝氮化鎵（GaN）射頻功率器件制造”。2019年，國博電子曾表示，公司在基站和終端的小信號產(chǎn)品以及中功率產(chǎn)品方面都實現(xiàn)了批量化量產(chǎn)，目前正在進入的領域主要有GaN大功率器件，以及毫米波基站多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發(fā)前端芯片。

值得一提的是，江寧開發(fā)區(qū)是國內(nèi)較早布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)的開發(fā)園區(qū)，2023年全年，園區(qū)新引進英諾賽科、博銳半導體、芯干線等一批產(chǎn)業(yè)項目。

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