一、前言

這兩個(gè)集成芯片實(shí)際上是兩款功率 MOS 管。為了今后使用方便，下面對(duì)它們進(jìn)行初步測(cè)試。SOP6 封裝的是 4606，其中集成了一個(gè) N溝道 和一個(gè) P 溝道的MOSFET。TSSOP8 封裝的是 8205A，其中封裝了兩個(gè)N 溝道的 MOSFET。

二、制作轉(zhuǎn)接板

設(shè)計(jì)一個(gè)轉(zhuǎn)接電路板，將標(biāo)貼封裝芯片引腳引出，這樣便于在面包板上進(jìn)行測(cè)試。利用熱轉(zhuǎn)印方法，一分鐘之后得到轉(zhuǎn)接板。切割轉(zhuǎn)接板，形成幾個(gè)獨(dú)立的芯片轉(zhuǎn)接小板。下面焊接芯片和插針，進(jìn)行后面的測(cè)試。

三、測(cè)試波形

把待測(cè) MOS 芯片焊接在轉(zhuǎn)接板上，利用100mil 排針，可以在面包板上進(jìn)行測(cè)試。首先測(cè)試 4606。將N溝道和P溝道MOS 組成推挽電路，在兩個(gè)柵極輸入一個(gè)1kHz，幅度為 5V 的方波，測(cè)量漏極信號(hào)?？梢钥吹捷敵龇聪?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E6%96%B9%E6%B3%A2%E4%BF%A1%E5%8F%B7/">方波信號(hào)。藍(lán)色是輸入信號(hào)，青色是輸出信號(hào) 。這是輸入信號(hào)上升過(guò)渡過(guò)程。輸出信號(hào)與輸入信號(hào)之間幾乎沒(méi)有延遲。下降沿對(duì)應(yīng)的情況也類(lèi)似。

▲ 圖1.3.1 測(cè)試電路

這是前面測(cè)試電路的原理圖，兩個(gè)MOS管構(gòu)成了推挽功率輸出。

下面測(cè)試 8205A。其中集成了兩個(gè) N 溝道的MOS管。在面包板上搭建測(cè)試電路。輸入仍然是1kHz 的方波信號(hào)。這是 MOS 管的柵極和漏極波形。它們之間呈現(xiàn)反向關(guān)系。施加三角波信號(hào)，可以看到 MOS 管導(dǎo)通電壓在 0.7V 左右。這幾乎和普通的 三極管的驅(qū)動(dòng)電壓相同了。

※ 總結(jié) ※

本文對(duì)于兩款MOS 芯片進(jìn)行了測(cè)試，這兩款MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓都非常低，適合用于低壓功率電路中。